20世紀50年代末,半導體硅晶閘管的出現(xiàn)標志著以固態(tài)半導體器件為核心的現(xiàn)代電力電子學的開始,引起了感應加熱電源技術以致整個電力電子學領域的一場革命,同時感應加熱電源及應用得到了飛速發(fā)展。1890年瑞典技能人員發(fā)明晰第一臺感應熔煉爐 ——開槽式有芯爐， 1916年美國人發(fā)明晰閉槽有芯爐，從此感應加熱技能逐漸進入實用化期間。
    70年代末80年代初,現(xiàn)代半導體集成技術與 功率半導體技術相結合,開發(fā)出了一大批新型的電力電子半導體器件,為高頻領域感應加熱電源的研制提供了堅實的基礎。20世紀電力電子器材和技能的飛速開展，極大地推進了感應加熱技能的開展。
    1957年，美國研宣布作為電力電子器材里程碑的晶閘管，標志著現(xiàn)代電力電子技能的開端，也引發(fā)了感應加熱技能的革新。1966年，瑞士和西德首要使用晶閘管研發(fā)感應加熱設備，從此感
應加熱設備開啟飛速開展。
    20世紀80年代中期,西歐國家就研制出了用功率場效應管(MOSFET)作開關管的高頻電源,其頻率為200kHz左右,功率可達數(shù)千瓦[2]。之后GTO、MOSFET、IGBT、M CT及 SIT等器材相繼呈現(xiàn)。
感應加熱設備也逐漸摒棄晶閘管，開端選用這些新器材。如今比擬常用的是IGBT和MOSFET， IGBT用于較大功率場合，而MOSFET用于較高頻率場合。據(jù)報道，國外可以選用IGBT將感應加熱設備
做到功率超越1000kW ，頻率超越50kHz。而MOSFET較適用高頻場合，通常使用在幾千瓦的中小功率場合，頻率可到達500kHz以上，乃至幾兆赫茲?？墒菄庖灿型瞥鲞x用 MOSFET的大功率的感
應加熱設備，比方美國研發(fā)的2000kW /400kHz的設備。
    我國感應熱處置技能的真實使用始于1956年，早年蘇聯(lián)引進，首要使用在汽車工業(yè)。跟著 20世紀電源設備的制作，感應淬火工藝配備也緊隨其后得到開展。如今國內(nèi)感應淬火工藝配備制
作業(yè)也日益擴展，產(chǎn)品品種多，本來需求進口的配備，逐漸被國產(chǎn)品所替代，在為國家節(jié)約外匯的一起，開展了國內(nèi)的相關企業(yè)。當前感應加熱制作業(yè)的效勞方針首要是汽車制作業(yè)，往后現(xiàn)代
冶金工業(yè)將對感應加熱有較大需求。
    根據(jù)交變電流的頻率的高低，可將感應加熱熱處理分為超高頻、高頻、超音頻、中頻、工頻 5類。
①超高頻感應加熱熱處理所用的電流頻率高達27兆赫，加熱層極薄，僅約0.15毫米，可用于圓盤鋸等形狀復雜工件的薄層表面淬火。
②高頻感應加熱熱處理所用的電流頻率通常為200～300千赫,加熱層深度為0.5～2毫米,可用于齒輪、汽缸套、凸輪、軸等零件的表面淬火。
③超音頻感應加熱熱處理所用的電流頻率一般為20～30千赫，用超音頻感應電流對小模數(shù)齒輪加熱，加熱層大致沿齒廓分布，粹火后使用性能較好。
④中頻感應加熱熱處理所用的電流頻率一般為2.5～10千赫,加熱層深度為2～8毫米，多用于大模數(shù)齒輪、直徑較大的軸類和冷軋輥等工件的表面淬火。
⑤工頻感應加熱熱處理所用的電流頻率為50～60赫，加熱層深度為10～15毫米，可用于大型工件的表面淬火。